PN結(jié)的基本特性是（）

下列哪個(gè)不是單晶常用的晶向（）

可用作硅片的研磨材料是（）

鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）

在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。

那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

對于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。

如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用，則這種雜質(zhì)稱為（）。

最有效的復(fù)合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。

只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。