熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括（）

下列選項(xiàng)中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）

那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）

屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）

下列哪一個(gè)遷移率的測量方法適合于低阻材料少子遷移率測量（）

制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括（）

原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）

鑄造多晶硅中氫的主要作用包括（）

雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是（）

只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。