問(wèn)答題其它表面組裝元件主要是指哪些元件？這些元件各有什么特點(diǎn)？分別用在哪些場(chǎng)合？
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1.問(wèn)答題片式電感器的類型主要有幾種？其結(jié)構(gòu)各有什么特點(diǎn)？
2.問(wèn)答題片式鉭電解電容和鋁電解電容有什么主要特點(diǎn)和主要差別？
3.問(wèn)答題片式瓷介電容器主要有哪幾種類型？各有什么主要特點(diǎn)？
4.問(wèn)答題矩形片式電阻由哪幾部分組成？各部分的主要作用是什么？
5.問(wèn)答題表面組裝電阻器主要有哪幾類？各有什么特點(diǎn)？
最新試題
利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。
題型：?jiǎn)柎痤}
從設(shè)計(jì)的觀點(diǎn)出發(fā)，版圖設(shè)計(jì)規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？
題型：?jiǎn)柎痤}
為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？
題型：?jiǎn)柎痤}
試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。
題型：?jiǎn)柎痤}
說(shuō)明MOS器件噪聲的來(lái)源、成因及減小方法。
題型：?jiǎn)柎痤}
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請(qǐng)畫(huà)出Id2的大致變化，并說(shuō)明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。
題型：?jiǎn)柎痤}
集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？
題型：?jiǎn)柎痤}
由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。
題型：?jiǎn)柎痤}
什么是MOS器件的體效應(yīng)？
題型：?jiǎn)柎痤}