什么是MOS器件的體效應(yīng)？

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。

設(shè)計一個CMOS差分放大器電路，寫出其對應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。