在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

什么是MOS器件的體效應？

由硅片生產(chǎn)的半導體產(chǎn)品，又被稱為（）。

目前集成電路版圖設計的主流工具有哪些？

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

BiCMOS技術就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結構的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結構的高電流驅(qū)動能力。

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構成一個MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

從設計的觀點出發(fā)，版圖設計規(guī)則應包括哪些部分？

20世紀上半葉對半導體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。