判斷題

離子注入會(huì)將原子撞擊出晶格結(jié)構(gòu)而損傷硅片晶格，高溫退火過(guò)程能使硅片中的損傷部分或絕大部分得到消除，摻入的雜質(zhì)也能得到一定比例的電激活。

答案： 正確
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