試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長(zhǎng)。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

試述兩種傳輸線電感，比較其優(yōu)缺點(diǎn)。

編寫(xiě)DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？

目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些？

硅半導(dǎo)體工藝中的絕緣材料主要來(lái)源于硅自身產(chǎn)生的（）材料等。

把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過(guò)程，稱作（）。生長(zhǎng)后的單晶硅被稱為（）。

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。