圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。

半導(dǎo)體工藝技術(shù)中，器件互連材料通常包括（）等。

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

由于襯底材料的緣故會自動產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

在晶體材料中，對于長程有序的原子模式最基本的實體就是（）。

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。

把半導(dǎo)體級硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過程，稱作（）。生長后的單晶硅被稱為（）。