圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

MOS器件存在哪些二階效應？

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，畫出Vx從一個大的正值下降時Ix的草圖。

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設計上采取哪些措施？

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

材料根據(jù)流經材電流的不同可分為三類（）。

規(guī)定版圖幾何設計規(guī)則的意義是什么？

集成電容主要有幾種結構？

20世紀上半葉對半導體產業(yè)量展做出貢獻的4種不同產業(yè)主要是（）。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達式。