由于襯底材料的緣故會自動(dòng)產(chǎn)生電容，這種電容稱為（）。

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。

利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。