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判斷題CVD是利用某種物理過程，例如蒸發(fā)或者濺射現(xiàn)象實(shí)現(xiàn)物質(zhì)的轉(zhuǎn)移，即原子或分子由源轉(zhuǎn)移到襯底（硅）表面上，并淀積成薄膜。

1.判斷題快速熱處理是一種小型的快速加熱系統(tǒng)，帶有輻射熱和冷卻源，通常一次處理一片硅片。

2.判斷題用于亞0.25μm工藝的選擇性氧化的主要技術(shù)是淺槽隔離。

3.判斷題傳統(tǒng)的0.25μm工藝以上的器件隔離方法是硅的局部氧化。

4.判斷題氧化物有兩個(gè)生長階段來描述，分別是線性階段和拋物線階段。

5.判斷題雖然直至今日我們?nèi)云毡椴捎脭U(kuò)散區(qū)一詞，但是硅片制造中已不再用雜質(zhì)擴(kuò)散來制作pn結(jié)，取而代之的是離子注入。