設(shè)計(jì)一個(gè)CMOS差分放大器電路，寫出其對(duì)應(yīng)的SPICE描述語句并作差模電流-電壓特性分析。

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請(qǐng)畫出Id2的大致變化，并說明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

規(guī)定版圖幾何設(shè)計(jì)規(guī)則的意義是什么？

20世紀(jì)上半葉對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)量展做出貢獻(xiàn)的4種不同產(chǎn)業(yè)主要是（）。

什么是電阻率？它的單位是什么（國際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

在晶體材料中，對(duì)于長程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。