利用2μm×6μm的多晶硅柵極覆蓋在4μm×12μm薄氧化層的正中間構(gòu)成一個(gè)MOS管，已知Cox＝5×10-4pF/μm2，估算柵極電容。

根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響？

集成電容主要有幾種結(jié)構(gòu)？

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。

什么是無源電阻？什么是有源電阻？舉例說明。

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。

從天然硅中獲得達(dá)到生產(chǎn)半導(dǎo)體器件所需純度的SGS要經(jīng)過（）等步驟。