把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過(guò)程，稱(chēng)作（）。生長(zhǎng)后的單晶硅被稱(chēng)為（）。

MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響？

編寫(xiě)DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？

目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些？

BiCMOS技術(shù)就是將（）和（）的優(yōu)良性能集中在同一塊集成電路器件中。BiCMOS綜告了CMOS結(jié)構(gòu)的低功耗、高集成度和TTL或ECL器件結(jié)構(gòu)的高電流驅(qū)動(dòng)能力。

什么是MOS器件的體效應(yīng)？

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線，請(qǐng)畫(huà)出Id2的大致變化，并說(shuō)明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

晶體管的名字取自于（）和（）兩詞。

由于襯底材料的緣故會(huì)自動(dòng)產(chǎn)生電容，這種電容稱(chēng)為（）。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。