什么是MOS器件的體效應(yīng)？

目前集成電路版圖設(shè)計(jì)的主流工具有哪些？

MOS器件按比例縮小后對(duì)器件特性有什么影響？

由硅片生產(chǎn)的半導(dǎo)體產(chǎn)品，又被稱為（）。

MOS場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類（）和（）。每種類型可由各自器件的多數(shù)載流子來(lái)區(qū)別。

說(shuō)明MOS器件噪聲的來(lái)源、成因及減小方法。

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計(jì)1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長(zhǎng)。

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計(jì)上采取哪些措施？

在晶體材料中，對(duì)于長(zhǎng)程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。