A.PET
B.PYⅠ
C.PE
D.PYⅡ
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A.聚乙烯膜
B.聚酯膜
C.細砂
D.無膜雙面自粘
A.2.0mm
B.3.0mm
C.4.0mm
D.1.5mm
A.拉伸性能尺寸(縱向×橫向)100×25(mm),縱橫各5個
B.耐熱性(縱向×橫向)100×50(mm),3個
C.低溫柔性(縱向×橫向)150×25(mm),10個
D.不透水性150×150mm,3個
A.最大拉力單位為N/50mm,對應的延伸率用百分比表示
B.分別記錄每個方向5個試件的拉力值和延伸率,計算平均值
C.拉力的平均值修約到5N,延伸率修約到1%
D.拉力的平均值修約到1N,延伸率修約到0.1%
A.JF1
B.JL1
C.FF
D.FS2
最新試題
硅片拋光在原理上不可分為()
在光線作用下,能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱()
雜質(zhì)半導體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
載流子的擴散運動產(chǎn)生擴散電流,漂移運動產(chǎn)生()電流。
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含:()1)冶金法2)硅烷法3)重摻硅廢料提純法4)西門子改良法5)SiCl4法6)氣液沉淀法7)流化床法
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應;③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應;④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
直拉法生長單晶硅拉晶過程有幾個主要階段?()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括()