A、出廠檢驗(yàn)
B、型式檢驗(yàn)
C、現(xiàn)場(chǎng)檢驗(yàn)
D、見(jiàn)證檢驗(yàn)
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A、尺寸偏差
B、外觀質(zhì)量
C、密度和強(qiáng)度
D、吸水率和相對(duì)含水率
A、新產(chǎn)品投產(chǎn)或產(chǎn)品定型鑒定時(shí)；
B、砌塊的原材料、配合比及生產(chǎn)工藝發(fā)生較大變化時(shí)；
C、正常生產(chǎn)六個(gè)月時(shí)（干燥收縮率、碳化系數(shù)和抗凍性每年一次）
D、產(chǎn)品停產(chǎn)三個(gè)月以上恢復(fù)生產(chǎn)時(shí)
A、防雨
B、防潮
C、排水
D、防曬
A、承重
B、非承重
C、防火墻
D、防輻射墻
A、原材料
B、要求
C、檢驗(yàn)方法
D、檢驗(yàn)規(guī)則
最新試題
對(duì)于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡(jiǎn)并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí)，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
光子傳感器是利用某些半導(dǎo)體材料在入射光的照下，產(chǎn)生（）.使材料的電學(xué)性質(zhì)發(fā)生變化。通過(guò)測(cè)量電學(xué)性質(zhì)的變化，可以知道紅外輻射的強(qiáng)弱。光子效應(yīng)所制成的紅外探測(cè)器。
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
對(duì)于大注入下的直接復(fù)合，非平衡載流子的壽命不再是個(gè)常數(shù)，它與（）。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過(guò)程的散射機(jī)構(gòu)中，當(dāng)溫度升高時(shí)，電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是（）
PN結(jié)的基本特性是（）
鑄造多晶硅中的氧主要來(lái)源不包括（）
硅片拋光在原理上不可分為（）
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶?，?huì)有氮取代部分的磷，這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）