多項選擇題蒸壓加氣混凝土砌塊標準適用于民用與工業(yè)建筑物（）墻體及保溫隔熱使用的蒸壓加氣混凝土砌塊。
A、承重
B、非承重
C、防火墻
D、防輻射墻
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1.多項選擇題蒸壓加氣混凝土砌塊標準規(guī)定了蒸壓加氣混凝土砌塊的術(shù)語和定義、產(chǎn)品分類、（）及產(chǎn)品質(zhì)量說明書、堆放、運輸。
A、原材料
B、要求
C、檢驗方法
D、檢驗規(guī)則
2.多項選擇題蒸壓加氣混凝土砌塊的強度級別有：A2.5、A3.5、A5.0、A7.5、A10、（）七個級別。
A、A1.0
B、A2.0
C、A15
D、A20
3.多項選擇題蒸壓加氣混凝土砌塊干密度級別有：B04、B05、B06、B07（）六個級別。
A、B02
B、B03
C、B08
D、B09
4.多項選擇題蒸壓加氣混凝土砌塊的檢驗分為（）。
A、出廠檢驗
B、型式檢驗
C、現(xiàn)場檢驗
D、見證檢驗
5.多項選擇題蒸壓加氣混凝土砌塊出廠檢驗的項目包括（）。
A、尺寸偏差
B、外觀質(zhì)量
C、立方體抗壓強度
D、干密度
最新試題
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點不包括（）
題型：單項選擇題
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項選擇題
在通常情況下，GaN呈（）型結(jié)構(gòu)。
題型：單項選擇題
一塊半導體壽命τ=15µs，光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子，光照突然停止30µs后，其中非平衡載流子將衰減到原來的（）。
題型：單項選擇題
下列選項中，對從石英到單晶硅的工藝流程是（）
題型：單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項選擇題
CZ法的主要流程工藝順序正確的是（）
題型：單項選擇題
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速（）
題型：單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題
最有效的復合中心能級位置在Ei附近；最有利陷阱作用的能級位置在（）附近，常見的是少子陷阱。
題型：單項選擇題