A、新產(chǎn)品投產(chǎn)或產(chǎn)品定型鑒定時(shí);
B、砌塊的原材料、配合比及生產(chǎn)工藝發(fā)生較大變化時(shí);
C、正常生產(chǎn)六個(gè)月時(shí)(干燥收縮率、碳化系數(shù)和抗凍性每年一次)
D、產(chǎn)品停產(chǎn)三個(gè)月以上恢復(fù)生產(chǎn)時(shí)
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A、防雨
B、防潮
C、排水
D、防曬
A、承重
B、非承重
C、防火墻
D、防輻射墻
A、原材料
B、要求
C、檢驗(yàn)方法
D、檢驗(yàn)規(guī)則
A、A1.0
B、A2.0
C、A15
D、A20
A、B02
B、B03
C、B08
D、B09
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最新試題
鑄造多晶硅中氫的主要作用包括()
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
對于同時(shí)存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體,在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時(shí),半導(dǎo)體具有()半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運(yùn)過程的散射機(jī)構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時(shí),電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動(dòng)聲子的散射概率的變化分別是()
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
PN結(jié)的基本特性是()
下列選項(xiàng)中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
改良西門子法的顯著特點(diǎn)不包括()