A、提筒后,測量筒高與坍落后試體最高點之間的高度差,作為坍落度值
B、提筒后,測量筒高與坍落后試體最低點之間的高度差,作為坍落度值
C、提筒后,測量筒高與坍落后試體最高點和最低點之間的高度差,取其平均值作為坍落度值
D、提筒后,應(yīng)在150s后測量坍落度值
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A.試驗前應(yīng)潤濕坍落度筒及底板
B、拌合物應(yīng)分二層均勻地裝入坍落度筒內(nèi)
C、每層可用直徑為Φ25mm的振動棒振搗密實
D、頂層插搗完后,刮去多余的砼,并用抹刀抹平
A、粗骨料在中央集堆
B、大量水泥漿從邊緣析出
C、坍落體不停向外蠕動擴展
D、A、B、C選項都對
A、插搗不均勻
B、提筒時歪斜
C、底板干濕不勻
D、底板傾斜
A、坍落度法
B、坍落擴展度法
C、維勃稠度法
D、增實因素法
A、流動性
B、凝結(jié)時間
C、黏聚性
D、保水性
最新試題
熱處理中氧沉淀的形態(tài)不包括()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來的()。
鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括()
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是()①原材料中雜質(zhì)的種類和含量;②雜質(zhì)的分凝效應(yīng);③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng);④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污;⑤加入雜質(zhì)量;
雜質(zhì)半導(dǎo)體中的載流子輸運過程的散射機構(gòu)中,當(dāng)溫度升高時,電離雜質(zhì)散射的概率和晶格振動聲子的散射概率的變化分別是()
硅片拋光在原理上不可分為()
與半導(dǎo)體相比較,絕緣體的價帶電子激發(fā)到導(dǎo)帶所需的能量()
如果雜質(zhì)既有施主的作用又有受主的作用,則這種雜質(zhì)稱為()。
原子晶體中的原子與原子之間的鍵能隨原子間距的而迅速()
下列選項中,對從石英到單晶硅的工藝流程是()