A、插搗不均勻
B、提筒時(shí)歪斜
C、底板干濕不勻
D、底板傾斜
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A、坍落度法
B、坍落擴(kuò)展度法
C、維勃稠度法
D、增實(shí)因素法
A、流動(dòng)性
B、凝結(jié)時(shí)間
C、黏聚性
D、保水性
A、稠度
B、凝結(jié)時(shí)間
C、碳化深度
D、泌水率
A、同一檢驗(yàn)批只進(jìn)行一組試驗(yàn)時(shí),應(yīng)將試驗(yàn)結(jié)果作為檢驗(yàn)結(jié)果
B、同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)時(shí),應(yīng)取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的最小值作為檢驗(yàn)結(jié)果
C、同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)時(shí),應(yīng)取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的最大值作為檢驗(yàn)結(jié)果
D、同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)時(shí),應(yīng)取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的平均值作為檢驗(yàn)結(jié)果
A、同一檢驗(yàn)批只進(jìn)行一組試驗(yàn)時(shí),應(yīng)將試驗(yàn)結(jié)果作為檢驗(yàn)結(jié)果
B、同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)時(shí),應(yīng)取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的最小值作為檢驗(yàn)結(jié)果
C、同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)時(shí),應(yīng)取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的最大值作為檢驗(yàn)結(jié)果
D、同一檢驗(yàn)批進(jìn)行了一組以上試驗(yàn)時(shí),應(yīng)取所有組試驗(yàn)結(jié)果中的平均值作為檢驗(yàn)結(jié)果
最新試題
表面態(tài)中性能級(jí)位于費(fèi)米能級(jí)以上時(shí),該表面態(tài)為();
制約鑄造多晶硅材料少子壽命的主要因素不包括()
那個(gè)不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素()
把磷化鎵在氮?dú)夥罩型嘶穑瑫?huì)有氮取代部分的磷,這會(huì)在磷化鎵中出現(xiàn)()。
PN結(jié)的基本特性是()
只涉及到大約一個(gè)原子大小范圍的晶格缺陷是()。
懸浮區(qū)熔的優(yōu)點(diǎn)不包括()
一塊半導(dǎo)體壽命τ=15µs,光照在材料中會(huì)產(chǎn)生非平衡載流子,光照突然停止30µs后,其中非平衡載流子將衰減到原來(lái)的()。
硅片拋光在原理上不可分為()
直拉法生長(zhǎng)單晶硅拉晶過(guò)程有幾個(gè)主要階段?()