單項選擇題粉煤灰磚（JC239-2001）標(biāo)準(zhǔn)中，每粉煤灰磚每（）塊為一批，不足該數(shù)量亦按一批計。
A、3.5～15萬
B、15萬
C、10萬
D、1萬
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1.單項選擇題粉煤灰磚（JC239-2001）標(biāo)準(zhǔn)中粉煤灰磚各項技術(shù)要求的指標(biāo)的試驗按（）的規(guī)定進(jìn)行。
A、GB/T2542
B、GB/T11969
C、GB/T4111
D、以上標(biāo)準(zhǔn)都不對
2.單項選擇題粉煤灰磚（JC239-2001）標(biāo)準(zhǔn)中規(guī)定粉煤灰磚色差的試驗方法為：?。ǎK粉煤灰磚，平放在地上，在自然光照下，距離樣品1.5m處目測，無明顯色差。
A、30
B、36
C、40
D、50
3.單項選擇題粉煤灰磚（JC239-2001）標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定優(yōu)等品磚的強(qiáng)度等級應(yīng)不低于（）
A、MU25
B、MU20
C、MU15
D、MU10
4.單項選擇題粉煤灰磚（JC239-2001）標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定集料應(yīng)符合相應(yīng)標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定，放射性性質(zhì)應(yīng)符合（）的規(guī)定。
A、JC/T.409
B、JC/T.621
C、GB.175
D、GB.6763
5.單項選擇題粉煤灰磚（JC239-2001）標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定的粉煤灰磚不得用于長期受熱（）℃以上、受急冷急熱和有酸性介質(zhì)的建筑部位的建筑部位。
A、100
B、200
C、250
D、300
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鑄造多晶硅中的氧主要來源不包括（）
題型：單項選擇題
PN結(jié)的基本特性是（）
題型：單項選擇題
在光線作用下，能使物體產(chǎn)生一定方向的電動勢的現(xiàn)象稱（）
題型：單項選擇題
對于同時存在一種施主雜質(zhì)和一種受主雜質(zhì)的均勻摻雜的非簡并半導(dǎo)體，在溫度足夠高、ni>>/ND-NA/時，半導(dǎo)體具有（）半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性。
題型：單項選擇題
把磷化鎵在氮氣氛中退火，會有氮取代部分的磷，這會在磷化鎵中出現(xiàn)（）。
題型：單項選擇題
屬于晶體缺陷中面缺陷的是（）
題型：單項選擇題
影響單晶內(nèi)雜質(zhì)數(shù)量及分布的主要因素是（）①原材料中雜質(zhì)的種類和含量；②雜質(zhì)的分凝效應(yīng)；③雜質(zhì)的蒸發(fā)效應(yīng)；④生長過程中坩堝或系統(tǒng)內(nèi)雜質(zhì)的沾污；⑤加入雜質(zhì)量；
題型：單項選擇題
只涉及到大約一個原子大小范圍的晶格缺陷是（）。
題型：單項選擇題
那個不是影響直拉單晶硅的電阻率均勻性的因素（）
題型：單項選擇題
多晶硅的生產(chǎn)方法主要包含：（）1）冶金法2）硅烷法3）重?fù)焦鑿U料提純法4）西門子改良法5）SiCl4法6）氣液沉淀法7）流化床法
題型：單項選擇題