A、單一的組合邏輯電路
B、單一的時序邏輯電路
C、一個數(shù)字系
D、獨立器件
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你可能感興趣的試題
A、利用被控管的集電極電流減小而使功率增益下降
B、利用被控管的集電極電流增大而使功率增益下降
C、利用被控管的集電極電流減小而使電壓增益下降
D、利用被控管的集電極電流增大而使電壓增益下降
A、AFC
B、AFT
C、ANC
D、ABL
A、負載電阻大于電源內(nèi)阻
B、負載電阻小于電源內(nèi)阻
C、負載電阻等于電源內(nèi)阻
D、以上都不是
A、諧振頻率
B、電感量
C、電容量
D、電感與電容量
A、四端網(wǎng)絡(luò)的輸入端特性阻抗
B、四端網(wǎng)絡(luò)的輸出端特性阻抗C
、四端網(wǎng)絡(luò)的輸入端與輸出端的特性阻抗
D、以上均不是
最新試題
J型引線器件的焊接,引線搭焊在焊盤上的長度,應(yīng)不小于()
對元器件引線的氧化層去除,下述描述錯誤的是()
無引線元器件每個焊端下面的焊料厚度差異不大于()
再流焊設(shè)備內(nèi)部溫度均勻性應(yīng)良好,橫向溫差應(yīng)不超過(),爐內(nèi)溫度的控制精度應(yīng)在()以內(nèi)。
城堡型器件的焊接應(yīng)符合標準要求,底部焊料填充厚度,應(yīng)為()
元器件引線無論采取手工或機械成形,若有明顯的刻痕或形變超過引線直徑的()則元器件不應(yīng)使用。
使用錫鍋對導(dǎo)線芯線進行搪錫時溫度為(),時間為1s~2s,使用電烙鐵搪錫時溫度為()搪錫時間不大于3s。
在多級放大器中,放大器的帶寬與級數(shù)成()關(guān)系。
微分電路與阻容耦合電路的形狀是一樣的,二者區(qū)別是()
元器件若安裝在裸露電路之上,引線成形使元器件本體底部與裸露電路之間至少留有()的間隙,但最大距離一般不應(yīng)超過()