A、AFC
B、AFT
C、ANC
D、ABL
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A、負(fù)載電阻大于電源內(nèi)阻
B、負(fù)載電阻小于電源內(nèi)阻
C、負(fù)載電阻等于電源內(nèi)阻
D、以上都不是
A、諧振頻率
B、電感量
C、電容量
D、電感與電容量
A、四端網(wǎng)絡(luò)的輸入端特性阻抗
B、四端網(wǎng)絡(luò)的輸出端特性阻抗C
、四端網(wǎng)絡(luò)的輸入端與輸出端的特性阻抗
D、以上均不是
A.RC振蕩
B.LC振蕩
C.變形間歇振蕩器
D.無(wú)要求
A、交流電流
B、恒穩(wěn)直流
C、直流電流
D、脈沖電流
最新試題
再流焊設(shè)備內(nèi)部溫度均勻性應(yīng)良好,橫向溫差應(yīng)不超過(guò)(),爐內(nèi)溫度的控制精度應(yīng)在()以內(nèi)。
靜電對(duì)微電子生產(chǎn)的危害有()
城堡型器件的焊接應(yīng)符合標(biāo)準(zhǔn)要求,底部焊料填充厚度,應(yīng)為()
在多級(jí)放大器中,放大器的帶寬與級(jí)數(shù)成()關(guān)系。
臥式安裝元器件粘固時(shí),粘固高度為()
無(wú)引線元器件每個(gè)焊端下面的焊料厚度差異不大于()
對(duì)元器件引線的氧化層去除,下述描述錯(cuò)誤的是()
無(wú)極性電容、熔斷器、玻璃封裝二極管采用電烙鐵搪錫時(shí),其搪錫溫度為();采用錫鍋搪錫時(shí),其搪錫溫度為()
元器件引線無(wú)論采取手工或機(jī)械成形,若有明顯的刻痕或形變超過(guò)引線直徑的()則元器件不應(yīng)使用。
元器件若安裝在裸露電路之上,引線成形使元器件本體底部與裸露電路之間至少留有()的間隙,但最大距離一般不應(yīng)超過(guò)()