A.工作頻率
B.晶片尺寸
C.探測(cè)深度
D.近場(chǎng)長(zhǎng)度
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A.探測(cè)范圍大
B.盲區(qū)小
C.工件中近場(chǎng)長(zhǎng)度小
D.雜波少
A.檢測(cè)精度高，定位定量準(zhǔn)
B.頻帶寬，脈沖窄
C.可記錄存儲(chǔ)信號(hào)
D.儀器有計(jì)算和自檢功能
A.透聲性能好
B.材質(zhì)衰減小
C.有利消除耦合差異
D.以上全部
A、Z1＞Z2
B、C1＜C2
C、C1＞C2
D、Z1＜Z2
A.爬波探頭的外形和結(jié)構(gòu)與橫波斜探頭類似
B.當(dāng)縱波入射角大于或等于第二臨界角時(shí)，在第二介質(zhì)中產(chǎn)生爬波
C.爬波用于探測(cè)表層缺陷
D.爬波探測(cè)的深度范圍與頻率f和晶片直徑D有關(guān)
最新試題
（）和底波高度法一般用于缺陷尺寸小于聲束截面的缺陷定量。
關(guān)于液浸法的優(yōu)點(diǎn)，說法錯(cuò)誤的是（）。
利用底波計(jì)算法校準(zhǔn)靈敏度時(shí)，下面敘述中（）是錯(cuò)誤的。
（）主要用于表面光滑工件的表面和近表面缺陷檢測(cè)。
單探頭法容易檢出（）。
直接接觸法是指探頭與工件之間（）。
利用底波計(jì)算法進(jìn)行靈敏度校準(zhǔn)時(shí)，適用的工件厚度為（）。
調(diào)整檢測(cè)靈敏度的目的在于檢測(cè)出工件中規(guī)定大小的缺陷，并對(duì)缺陷進(jìn)行（）。
超聲檢測(cè)對(duì)缺陷定位時(shí)，（）不是影響缺陷定位的主要因素。
靈敏度采用試塊調(diào)節(jié)法，下面說法錯(cuò)誤的是（）。