化學(xué)機(jī)械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

常壓的硅外延方法有（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

芯片粘接的工藝過程包括（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）