問答題簡(jiǎn)述CMP技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)。
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最新試題
說明MOS器件噪聲的來源、成因及減小方法。
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比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路,試分析兩者存在差異的原因。
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什么是無源電阻?什么是有源電阻?舉例說明。
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集成電路電阻可以通過()產(chǎn)生。
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半導(dǎo)體工藝技術(shù)中,器件互連材料通常包括()等。
題型:多項(xiàng)選擇題
圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管,M1的W/L=12μm/6μm,M2的W/L=4μm/2μm,其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線,請(qǐng)畫出Id2的大致變化,并說明Id1和Id2有什么不同,并解釋不同的主要原因。
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版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么?
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