根據(jù)圖，給出M2管的漏極電流表達(dá)式。

版圖設(shè)計(jì)的基本前提是什么？

編寫(xiě)DRC版圖驗(yàn)證文件的主要依據(jù)是什么？

圖a中M1和M2為某CMOS工藝中的兩個(gè)NMOS管，M1的W/L＝12μm/6μm，M2的W/L＝4μm/2μm，其它物理參數(shù)及偏置均相同。圖b中給出了M1的漏極電流Id1隨Vgs的變化曲線(xiàn)，請(qǐng)畫(huà)出Id2的大致變化，并說(shuō)明Id1和Id2有什么不同，并解釋不同的主要原因。

在晶體材料中，對(duì)于長(zhǎng)程有序的原子模式最基本的實(shí)體就是（）。

MOS場(chǎng)效應(yīng)管（MOSFET）在20世紀(jì)70年代得到了廣泛的接受，從那時(shí)起到現(xiàn)在一直是集成電路的主流晶體管。MOSFET有兩類(lèi)（）和（）。每種類(lèi)型可由各自器件的多數(shù)載流子來(lái)區(qū)別。

版圖DRC、ERC和LVS的意義是什么？

把半導(dǎo)體級(jí)硅的多晶硅塊，轉(zhuǎn)換成一塊大的單晶硅的過(guò)程，稱(chēng)作（）。生長(zhǎng)后的單晶硅被稱(chēng)為（）。

在圖中，若所有的晶體管都工作在飽和區(qū)，求M4的漏電流。

什么是電阻率？它的單位是什么（國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)單位制）？