從設(shè)計的觀點出發(fā)，版圖設(shè)計規(guī)則應(yīng)包括哪些部分？

編寫DRC版圖驗證文件的主要依據(jù)是什么？

為提高CMOS集成電路的抗自鎖能力，可在版圖設(shè)計上采取哪些措施？

集成電路電阻可以通過（）產(chǎn)生。

MOS器件按比例縮小后對器件特性有什么影響？

材料根據(jù)流經(jīng)材電流的不同可分為三類（）。

比較砷化鎵和磷化銦等襯底與硅襯底上的電感等效電路，試分析兩者存在差異的原因。

試用電導(dǎo)率為102/（Ω·cm），厚1μm的材料設(shè)計1kΩ的電阻，設(shè)電阻寬1μm，求其長。

版圖設(shè)計的基本前提是什么？

MOS器件存在哪些二階效應(yīng)？