問答題火法冶金、濕法冶金和電冶金的主要特點(diǎn)是什么？

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2.多項(xiàng)選擇題關(guān)于光滑界面與粗糙界面，下列說法正確的有（）

A.光滑界面是以不連續(xù)的方式生長。
B.光滑界面的生長又稱為側(cè)向生長。
C.粗糙界面的生長能連續(xù)地生長
D.粗糙界面的生長又稱為層狀生長

3.多項(xiàng)選擇題影響CVD質(zhì)量的因素有（）

A.沉積溫度
B.反應(yīng)氣體的比例
C.基體材料
D.壓強(qiáng)

4.多項(xiàng)選擇題蒸鍍制膜主要包括的物理階段有（）

A.淀積材料蒸發(fā)或升華為氣態(tài)
B.原子從蒸發(fā)源輸運(yùn)到基片
C.蒸氣粒子在基片上沉積
D.粒子在基片表面重排凝結(jié)成膜

5.多項(xiàng)選擇題按照坯料的性能可將成形方法分為哪幾類？（）

A.可塑法
B.注塑成型法
C.注漿法
D.壓制法

7.多項(xiàng)選擇題梯度功能材料的主要特征有（）

A.材料的組分呈連續(xù)梯度變化
B.材料內(nèi)部沒有明顯界面
C.材料結(jié)構(gòu)呈連續(xù)梯度變化
D.材料的性質(zhì)呈連續(xù)梯度變化

8.單項(xiàng)選擇題利用電鍍得到的膜層疏松多孔，而且結(jié)合不良。怎樣改善膜層的結(jié)合力？（）

A.加入添加劑或絡(luò)合劑
B.更換電解液
C.加入合適的還原劑
D.降低析出金屬的溶液濃度

9.多項(xiàng)選擇題適合熔體生長可以獲得高質(zhì)量單晶體的理想材料應(yīng)具有（）

A.沒有破壞性相變
B.較低的蒸氣壓
C.同成分熔化
D.純元素