多項(xiàng)選擇題?光刻工藝流程中后烘的作用是（）。
A.消除駐波效應(yīng)
B.蒸發(fā)PR中所有有機(jī)溶劑
C.提高光刻膠和表面的黏附性
D.平滑光刻膠側(cè)壁
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1.多項(xiàng)選擇題光刻是集成電路制造最重要的工藝，是因?yàn)椋ǎ?/a>
A.光刻耗費(fèi)時(shí)間最多
B.光刻耗費(fèi)時(shí)間最少
C.光刻決定了特征尺寸
D.光刻成本最高
2.單項(xiàng)選擇題現(xiàn)代光刻工藝有10個(gè)步驟，其中4個(gè)是熱處理步驟，下列哪個(gè)熱處理順序是正確的？（）
A.前烘、后烘、打底膜、堅(jiān)膜
B.打底膜、前烘、后烘、堅(jiān)膜
C.預(yù)烘、堅(jiān)膜、前烘、后烘
D.打底膜、堅(jiān)膜、前烘、后烘
3.多項(xiàng)選擇題?Si3N4薄膜的特性有（）。
A.針孔少
B.對(duì)底層金屬可保形覆蓋
C.介電常數(shù)較大
D.擴(kuò)散掩蔽能力強(qiáng)
4.多項(xiàng)選擇題?Si3N4薄膜的用途有（）。
A.淺槽隔離的CMP停止層
B.最終鈍化膜和機(jī)械保護(hù)膜
C.MOSFETs中的側(cè)墻
D.選擇性氧化的掩蔽膜
5.多項(xiàng)選擇題實(shí)現(xiàn)CVD工藝保形覆蓋的關(guān)鍵因素有（）。
A.表面遷移
B.直接入射
C.再發(fā)射
D.到達(dá)角
最新試題
倒裝芯片的連接方式有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
以下不屬于打碼目的的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下面關(guān)于PBGA器件的優(yōu)缺點(diǎn)，說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
下面關(guān)于BGA的特點(diǎn)，說(shuō)法錯(cuò)誤的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
為了獲得好的性能，塑封料的電學(xué)性必須得到控制。
題型：判斷題
引線鍵合的參數(shù)主要包括（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
去毛飛邊工藝指的是將芯片多余部分進(jìn)行有效的切除。
題型：判斷題
AUBM的形成可以采用（）方法。
題型：多項(xiàng)選擇題
鍵合常用的劈刀形狀，下列說(shuō)法正確的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下列關(guān)于BGA球柵陣列的優(yōu)缺點(diǎn)，說(shuō)法正確的是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題