多項選擇題?Si3N4薄膜的用途有（）。
A.淺槽隔離的CMP停止層
B.最終鈍化膜和機械保護膜
C.MOSFETs中的側(cè)墻
D.選擇性氧化的掩蔽膜
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1.多項選擇題實現(xiàn)CVD工藝保形覆蓋的關(guān)鍵因素有（）。
A.表面遷移
B.直接入射
C.再發(fā)射
D.到達角
2.多項選擇題CVD制備SiO2的方法有（）。
A.中溫LPCVD
B.低溫APCVD
C.低溫PECVD
D.低溫LPCVD
3.多項選擇題金屬W（鎢）的用途有（）。
A.局部互連
B.全局互連
C.鎢插塞
D.柵極
4.多項選擇題下列屬于多晶硅薄膜的特性有（）。
A.擴散系數(shù)明顯高于單晶硅
B.晶粒尺寸大的薄膜電阻率小
C.晶向唯一
D.電阻率遠高于單晶硅
5.多項選擇題?LPCVD系統(tǒng)與PECVD系統(tǒng)相比，它們的相同點有（）。
A.產(chǎn)量低
B.可淀積Si3N4等
C.臺階覆蓋好
D.反應(yīng)控制
最新試題
在近十年由于材料和設(shè)備的發(fā)展，同時伴隨電子產(chǎn)品功能的日益增強，（）再次來到大眾視線
題型：單項選擇題
使用3D封裝技術(shù)可以實現(xiàn)40～50倍的成品尺寸和重量的減少。
題型：判斷題
去飛邊毛刺工藝主要有介質(zhì)去飛邊毛刺、溶劑去飛邊毛刺、水去飛邊毛刺。
題型：判斷題
下列對焊接可靠性無影響的是（）。
題型：單項選擇題
鍵合點根部容易發(fā)生微裂紋，原因可能是鍵合操作中機械疲勞，也可能是溫度循環(huán)導(dǎo)致熱應(yīng)力疲勞。
題型：判斷題
下面關(guān)于PBGA器件的優(yōu)缺點，說法錯誤的是（）。
題型：單項選擇題
電子封裝是指對電路芯片進行包裝，進而保護電路芯片，以免其受到外界環(huán)境影響的包裝。
題型：判斷題
AUBM的形成可以采用（）方法。
題型：多項選擇題
倒裝芯片的連接方式有（）。
題型：多項選擇題
常規(guī)芯片封裝生產(chǎn)過程包括粘裝和引線鍵合兩個工序，而倒裝芯片則合二為一。
題型：判斷題