多項選擇題

?Si₃N₄薄膜的用途有（）。

A.淺槽隔離的CMP停止層
B.最終鈍化膜和機械保護膜
C.MOSFETs中的側(cè)墻
D.選擇性氧化的掩蔽膜

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多項選擇題

實現(xiàn)CVD工藝保形覆蓋的關(guān)鍵因素有（）。

A.表面遷移
B.直接入射
C.再發(fā)射
D.到達角

多項選擇題

CVD制備SiO₂的方法有（）。

A.中溫LPCVD
B.低溫APCVD
C.低溫PECVD
D.低溫LPCVD

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