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多項選擇題

CVD制備SiO₂的方法有（）。

A.中溫LPCVD
B.低溫APCVD
C.低溫PECVD
D.低溫LPCVD

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多項選擇題

金屬W（鎢）的用途有（）。

A.局部互連
B.全局互連
C.鎢插塞
D.柵極

多項選擇題

下列屬于多晶硅薄膜的特性有（）。

A.擴散系數(shù)明顯高于單晶硅
B.晶粒尺寸大的薄膜電阻率小
C.晶向唯一
D.電阻率遠高于單晶硅