單項(xiàng)選擇題集成電路制造過程中，把版圖轉(zhuǎn)移到晶圓的過程叫（）。
A.設(shè)計(jì)規(guī)則
B.封裝
C.光刻
D.測(cè)試
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.單項(xiàng)選擇題通常講的28nm工藝，是指（）。
A.wafer的直徑
B.管芯的大小
C.晶體管的面積
D.晶體管溝道長(zhǎng)度
2.單項(xiàng)選擇題下列電路實(shí)現(xiàn)形式中，哪一種是無比邏輯？（）
A.NMOS
B.CMOS
C.TTL
D.ECL
3.單項(xiàng)選擇題下列表達(dá)式中，和Y=（A+B）·（C·D）邏輯等價(jià)的是（）
A.Y=（A·B）·（C+D）
B.Y=（A+B）+（C+D）
C.Y=（A·B）·（C·D）
D.Y=?。ǎˋ·B）·（C+D））
4.單項(xiàng)選擇題對(duì)于硅基CMOS電路，一個(gè)2輸入或非門的邏輯努力是（）。
A.1
B.4/3
C.5/3
D.3
5.單項(xiàng)選擇題
下圖所示電路屬于（）負(fù)反饋放大電路。
A.電壓串聯(lián)負(fù)反饋
B.電流串聯(lián)負(fù)反饋
C.電壓并聯(lián)負(fù)反饋
D.電流并聯(lián)負(fù)反饋
最新試題
下面關(guān)于PBGA器件的優(yōu)缺點(diǎn)，說法錯(cuò)誤的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
按照芯片組裝方式的不同，關(guān)于SiP的分類，說法錯(cuò)誤的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鍵合工藝失效，焊盤產(chǎn)生彈坑的原因有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下列對(duì)焊接可靠性無影響的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鍵合工藝失效，，鍵合點(diǎn)尾絲不一致，可能產(chǎn)生的原因有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
收縮型四邊扁平封裝的引腳中心距離比普通的四邊扁平要大，所以在封裝體的邊緣可以容納更多的引腳個(gè)數(shù)。
題型：判斷題
WLCSP技術(shù)最根本的優(yōu)點(diǎn)是IC到PCB之間的電感很大。
題型：判斷題
關(guān)于電子封裝基片的性質(zhì)，說法錯(cuò)誤的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鍵合點(diǎn)根部容易發(fā)生微裂紋，原因可能是鍵合操作中機(jī)械疲勞，也可能是溫度循環(huán)導(dǎo)致熱應(yīng)力疲勞。
題型：判斷題
去飛邊毛刺工藝主要有介質(zhì)去飛邊毛刺、溶劑去飛邊毛刺、水去飛邊毛刺。
題型：判斷題