封裝工藝中，銀漿固化的溫度為（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎是（）。

碳納米管場效應晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）

化學機械拋光液的主要成分不包括的是哪個？（）

注入損傷與注入離子的以下哪個參數無關？（）

鳥嘴效應造成的不良影響有（）。

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。