進(jìn)行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

鳥嘴效應(yīng)造成的不良影響有（）。

如下哪個選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項(xiàng)？（）

摻雜后退火時間一般在（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。