芯片粘接的工藝過程包括（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

CMP的設(shè)備構(gòu)成包括（）。

進行光刻工藝前的清洗步驟是（）。

目前制備SOI材料的主流技術(shù)有幾種？（）

進行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

IC集成度和性能得以不斷提高的理論基礎(chǔ)是（）。

新的平坦化方法有哪幾個？（）

硅烷法制備高純硅的步驟不包括哪一項？（）