刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

CE定律發(fā)展面臨的問題包括（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

如下哪個(gè)選項(xiàng)不是半導(dǎo)體器件制備過程中的主要污染物？（）

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。