問(wèn)答題

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答案： 1、硅局部氧化形成過(guò)程中，作為阻擋氧氣擴(kuò)散的遮蔽層。
2、作為化學(xué)拋光的遮擋層。
3、用于形成側(cè)壁空...
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答案： 1、850度閑置狀態(tài)通入吹除凈化氮?dú)狻?br />2、通入工藝氮?dú)獬錆M爐管。
3、將石英或碳化硅晶圓載舟緩慢推...
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