問答題

【簡答題】簡述柵氧化層生長的典型干法氧化工藝流程

答案： 1、850度閑置狀態(tài)通入吹除凈化氮氣。
2、通入工藝氮氣充滿爐管。
3、將石英或碳化硅晶圓載舟緩慢推...
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問答題

【簡答題】列舉IC芯片制造過程中熱氧化SiO2的用途？
答案：

1、原生氧化層
2、屏蔽氧化層
3、遮蔽氧化層
4、場區(qū)和局部氧化層
5、襯墊氧化層
6、犧牲氧化層
7、柵極氧化層
8、阻擋氧化層
問答題

【簡答題】簡述晶圓的制造步驟
答案：

1、整形處理：去掉兩端，檢查電阻確定單晶硅達到合適的摻雜均勻度。
2、切片
3、磨片和倒角
4、刻蝕
5、化學機械拋光
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