問答題

【簡答題】影響擴散工藝中雜質(zhì)分布的因素

答案：

1、時間與溫度，恒定表面源主要是時間。
2、硅晶體中存在其他類型的點缺陷
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問答題

【簡答題】簡述柵氧化層生長的典型干法氧化工藝流程
答案： 1、850度閑置狀態(tài)通入吹除凈化氮氣。
2、通入工藝氮氣充滿爐管。
3、將石英或碳化硅晶圓載舟緩慢推...
問答題

【簡答題】列舉IC芯片制造過程中熱氧化SiO2的用途？
答案：

1、原生氧化層
2、屏蔽氧化層
3、遮蔽氧化層
4、場區(qū)和局部氧化層
5、襯墊氧化層
6、犧牲氧化層
7、柵極氧化層
8、阻擋氧化層
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