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填空題
免可控硅效應(yīng)的方法從（）寄生管的總增益，以及消除寄生晶體管出發(fā)，主要有：
1. （）；
2. （）；
3. 使用可以吸收注入電荷的（）；
4. （）；
5. 最可靠的是（），可以消除所有寄生元件的產(chǎn)生。
答案：
降低；增加基區(qū)寬度（即P-NMOS管的間距和阱深）；增加基區(qū)摻雜；保護(hù)環(huán)；采用深槽隔離；采用SOI材料作襯底
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填空題
開啟電壓（閾值電壓）的高低與柵下半導(dǎo)體中的（），柵氧化層的（）、（）、（）、（）等有關(guān)。載流子濃度越高，開啟電壓的絕對(duì)值（）；柵氧化層厚度越厚，開啟電壓的絕對(duì)值（）。
答案：
載流子濃度；厚度；固定電荷密度；可動(dòng)電荷密度；界面態(tài)密度；越高；越高
