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填空題 免可控硅效應(yīng)的方法從（）寄生管的總增益，以及消除寄生晶體管出發(fā)，主要有：
1. （）；
2. （）；
3. 使用可以吸收注入電荷的（）；
4. （）；
5. 最可靠的是（），可以消除所有寄生元件的產(chǎn)生。

參考答案： 降低；增加基區(qū)寬度（即P-NMOS管的間距和阱深）；增加基區(qū)摻雜；保護(hù)環(huán)；采用深槽隔離；采用SOI材料作襯底

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1.填空題閂鎖效應(yīng)（可控硅效應(yīng)），是CMOS電路遇到的（）問(wèn)題。在CMOS電路正常工作時(shí)，由于（）的突然被激發(fā)，器件電流突然（），甚至很快因Al（），使電路失效。

參考答案：破壞性；寄生晶體管；大幅上升；連線熔斷

2.填空題開(kāi)啟電壓（閾值電壓）的高低與柵下半導(dǎo)體中的（），柵氧化層的（）、（）、（）、（）等有關(guān)。載流子濃度越高，開(kāi)啟電壓的絕對(duì)值（）；柵氧化層厚度越厚，開(kāi)啟電壓的絕對(duì)值（）。

參考答案：載流子濃度；厚度；固定電荷密度；可動(dòng)電荷密度；界面態(tài)密度；越高；越高

3.填空題MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管的開(kāi)啟電壓指的是：（）。所以，NMOS管的開(kāi)啟電壓為（），PMOS管的開(kāi)啟電壓為（）。

參考答案：MOS管柵下半導(dǎo)體表面開(kāi)始強(qiáng)反型時(shí)的柵極電壓；正；負(fù)

4.填空題光刻工藝的分辨率決定于：（）和曝光、顯影、刻蝕條件的正確控制。正膠的分辨率（）于負(fù)膠的分辨率；光刻膠越薄，分辨率越（）。

參考答案：光刻機(jī)的分辨率、光刻膠的種類(lèi)、光刻膠的厚度、光刻膠的對(duì)比度；高；高

5.填空題前烘的目的是（）使膠膜中的溶劑只有初始濃度的（）。從而，使膠的（）性能穩(wěn)定。對(duì)正膠，前烘過(guò)度會(huì)使非曝光區(qū)的膠（）；前烘不足，會(huì)使膠的感光度（），對(duì)比度（），線條邊緣不陡直。所以，必須嚴(yán)格控制前烘的（）和（）。

參考答案：去除膠膜中的大部分溶劑；5%；曝光；部分溶解；提高；降低；時(shí)間；溫度