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中子嬗變摻雜不能用于制備p型硅錠。
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判斷題
CZ法、MCZ法拉單晶時(shí)必須有籽晶;而FZ法拉單晶時(shí)不需要籽晶。
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多項(xiàng)選擇題
蒸鍍工藝要求蒸鍍室為高真空度的原因()
A.為了避免蒸發(fā)分子(或原子)被氧化
B.為了降低鍍膜中的雜質(zhì)
C.為了減小蒸發(fā)分子(或原子)的平均自由程
D.為了制備的鍍膜表面更平坦
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