刻蝕工藝可以和以下哪個工藝結(jié)合來實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

進(jìn)行溝槽填充常用的金屬材料是（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

濕氧氧化采用的氧化水溫是（）。

碳納米管場效應(yīng)晶體管是未來晶體管發(fā)展趨勢之一。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）