下面哪道工序主要是針對晶圓切割之后在顯微鏡下進(jìn)行晶圓r的外觀檢查，是否有出現(xiàn)廢品？（）

當(dāng)許多損傷區(qū)連在一起時就會形成連續(xù)的非晶層，開始形成連續(xù)非晶層的注入劑量稱為（）。

光刻工藝對準(zhǔn)誤差包括（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

光刻工藝的設(shè)備核心是（）。

摻雜后退火時間一般在（）。

硅暴露在空氣中，在室溫下即可產(chǎn)生二氧化硅層，厚度約為（）。

金屬化中可選用的金屬材料有（）。

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。