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在熱氧化過(guò)程的初始階段,二氧化硅的生長(zhǎng)速率由氧化劑通過(guò)二氧化硅層的擴(kuò)散速率決定,處于線(xiàn)性氧化階段。
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判斷題
用來(lái)制造MOS器件最常用的是(100)面的硅片,這是因?yàn)椋?00)面的表面狀態(tài)更有利于控制MOS器件開(kāi)態(tài)和關(guān)態(tài)所要求的閾值電壓。
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問(wèn)答題
【簡(jiǎn)答題】列出幾種常見(jiàn)封裝的名稱(chēng)。
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