單項(xiàng)選擇題一個(gè)輸入為0的CMOS反相器的PMOS管存在哪些會(huì)引起靜態(tài)功耗的漏電流？（）
A.柵氧化層隧穿電流
B.亞閾值漏電流
C.柵極感應(yīng)漏端漏電GIDL
D.pn結(jié)反偏漏電流（BTBT）
您可能感興趣的試卷
你可能感興趣的試題
1.多項(xiàng)選擇題一個(gè)數(shù)字電路的平均功耗和下列哪些量成正比？（）
A.開關(guān)活動(dòng)性
B.工作頻率
C.電路的寄生電容
D.全擺幅時(shí)的電源電壓
2.單項(xiàng)選擇題一個(gè)邏輯門輸出從低電平向高電平翻轉(zhuǎn)的過程中存在（）動(dòng)態(tài)功耗，從高電平向低電平翻轉(zhuǎn)的過程中存在（）動(dòng)態(tài)功耗。
A.電容充電功耗和直流通路引起的功耗；直流通路引起的功耗
B.電容充電功耗和直流通路引起的功耗；電容充電功耗和直流通路引起的功耗
C.電容充電功耗；直流通路引起的功耗
D.直流通路引起的功耗；電容充電功耗和直流通路引起的功耗
E.電容充電功耗和直流通路引起的功耗；無
最新試題
下面關(guān)于PBGA器件的優(yōu)缺點(diǎn)，說法錯(cuò)誤的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題
鍵合點(diǎn)根部容易發(fā)生微裂紋，原因可能是鍵合操作中機(jī)械疲勞，也可能是溫度循環(huán)導(dǎo)致熱應(yīng)力疲勞。
題型：判斷題
鍵合工藝失效，，鍵合點(diǎn)尾絲不一致，可能產(chǎn)生的原因有（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
根據(jù)焊點(diǎn)的形狀，引線鍵合有兩種形式，分別是（）。
題型：多項(xiàng)選擇題
下面關(guān)于BGA的特點(diǎn)，說法錯(cuò)誤的是（）。
題型：?jiǎn)雾?xiàng)選擇題