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在一個化學氣相淀積工藝中,如果淀積速率是反應速率控制的,則為了顯著增大淀積速率,應該增大反應氣體流量。
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在熱氧化過程的初始階段,二氧化硅的生長速率由氧化劑通過二氧化硅層的擴散速率決定,處于線性氧化階段。
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判斷題
用來制造MOS器件最常用的是(100)面的硅片,這是因為(100)面的表面狀態(tài)更有利于控制MOS器件開態(tài)和關態(tài)所要求的閾值電壓。
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