摻雜后，退火的目的是（）。

互連工藝中AL的制備可選用（）。

下面哪些元素屬于半徑較小的雜質(zhì)原子？（）

光刻工藝的特點(diǎn)包括（）。

厚膜電阻的成分，一是導(dǎo)體顆粒，二是（）。

刻蝕工藝可以和以下哪個(gè)工藝結(jié)合來(lái)實(shí)現(xiàn)圖形的轉(zhuǎn)移？（）

影響封裝芯片特性的溫度有（）。

多層陶瓷基板多層化的方法包括（）。

消除鳥嘴效應(yīng)的方法有（）。

芯片粘接的工藝過(guò)程包括（）。