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問答題示意畫出P型半導(dǎo)體在光照（小注入）前后的能帶圖，并標(biāo)出原來的費(fèi)米能級(jí)和光照下的準(zhǔn)費(fèi)米能級(jí)。

1.問答題 施主濃度N_D=10¹⁶cm^-3的N-Si中，光注入非平衡載流子濃度Δn=Δp=10¹⁴cm^-3，計(jì)算無光照和有光照時(shí)的電導(dǎo)率。已知

2.問答題某半導(dǎo)體材料的少子壽命τ=20μs，光照產(chǎn)生了非平衡載流子，試求光照突然停止10μs后，非平衡載流子將衰減到原來的百分之幾？

3.問答題在一N-Ge樣品中，過剩載流子濃度為10¹⁴cm^-3，空穴壽命100μs，計(jì)算該樣品中空穴的復(fù)合率。

4.問答題 473K時(shí)硅的求本征硅的電阻率ρ_i。

5.問答題摻硼1.1×10¹⁶cm^-3和磷9×10¹⁵cm^-3的硅樣品，計(jì)算室溫下多子濃度和少子濃度。如果電子遷移率μ_n=1000cm²/v·s，空穴遷移率μ_p=360cm²/v·s，求電阻率。